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| 強誘電體設備關連材料
Ferroelectrics & Electrode |
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| 強誘電体用
for ferroelectrics
※各種組成振り可
available in various composition
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PZT, PZTN,
PLZT, PLT, PNN
KTN：K(Ta,
Nb)O3,
KNbO3,
(Li, K)NbO3
BNT：(Bi,
Nd)4Ti3O12,
BLT：(Bi, La)4Ti3O12
SBT：SrBi2
Ta2
O9
etc. |
ゲート絶縁膜用
for control gate (used high-k material) |
La2O3,
La2O3
-MOx,
HfO2,
ZrO2,
Y2O3
HfO2
-Al2O3,
HfO2
-SiO2
etc. |
薄膜コンデンサー用
for thin film condenser |
STO：SrTiO3
DCスパッタ用導電性STOターゲット
（For
DC sputtering）
BST：(Ba,
Sr)TiO3
高レートスパッタ用BSTターゲット
（For
high-rate sputtering) etc. |
電極用
for electrode |
Pt, Ir,
IrO2,
Ru, RuO2,
SrRuO3,
LaNiO3
NdNiO3,
(La,Sr)CoO3,
Ti, TiN, TiOX,
Ta etc. |
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| TOSHIMA provides highly dense and almost single
phase sputtering targets with its unique technology. |
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Co., LTD. 10459台灣台北市中山區松江路168號7樓
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